盛夏已過，初秋開場

七月的高熱依舊會不肯不散現在的生活也免不下被混亂的任務封魔

髙壓大功效(6500V/3000A)IGBT測試方法難？伴因為大型項目請求急、責任重、請求高水利師們壓為山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

可能SiC與Si性的不一樣的，SiC MOSFET的域值法工作輸出功率具備有時好時壞判定，在集成電路芯片測驗儀圖片的過程中域值法工作輸出功率老有看不出漂移，致使其電特性測驗儀圖片及及高溫天氣柵偏檢驗后的電測驗儀圖片可是比較嚴重依耐于測驗儀圖片因素。那么域值法工作輸出功率的為準測驗儀圖片，當前安全性測驗儀圖片方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻器 RDSon為應響元件運作時導通耗費的一最重要基本特征參數設置，其量值會隨 VGS 及T的發生變化而提升。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流維護能夠將輸出功率或許電流值控制在SOA位置，以防功率器件壞掉或炸管。

測試英文具體條件：800V 恒壓 10μA 限流

考試必要條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電加測電路系統將加快導通直流電壓衡量表面粗糙度；? SOCKET與PIN接觸性熱敏電容、考試引線導通熱敏電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，感應電流弧形震蕩；? 電纜線等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常規同軸電力電纜的等效電容（電容器）與DUT串連，SMU測量時持續上升及及穩定性時間間隔長；? 三同軸電纜電線等效電容（電容器）基本上為0。

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